潔淨空間的溫濕度主要是根據工藝要求來確定，但在滿足工藝要求的條件下，應考慮到人的舒适度感。随著(zhe)空氣潔淨度要求的提高，出現瞭(le)工藝對溫濕度的要求也越來越嚴的趨勢。具體工藝對溫度的要求以後還要列舉，但作爲總的原則看，由於加工精度越來越精細，所以對溫度波動範圍的要求越來越小。例如在大規模集成電路生産的光刻曝光工藝中，作爲掩膜闆材料的玻璃與矽片的熱膨脹系數的差要求越來越小。直徑100 um的矽片，溫度上升1度，就引起瞭(le)0.24um線性膨脹，所以必須有±0.1度的恒溫，同時要求濕度值一般較低，因爲人出汗以後，對産品将有污染，特别是怕鈉的半導體車間，這種車間溫度不宜超過25度，濕度過高産生的問題更多。相對濕度超過55%時，冷卻水管壁上會結露，如果發生在精密裝置或電路中，就會引起各種事故。相對濕度在50%時易生鏽。此外，濕度太高時将通過空氣中的水分子把矽片表面粘著(zhe)的灰塵化學吸附在表面難以清除。相對濕度越高,粘附的越難去掉，但當相對濕度低於30%時，又由於靜電力的作用使粒子也容易吸附於表面，同時大量半導體器件容易發生擊穿。對於矽片生産*濕度範圍爲35—45%。